2012年5月8日，推進利用TSV(硅通孔)的三維層疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件行業巨頭美國微軟已加盟該協會。
HMC是采用三維構造，在邏輯芯片上沿垂直方向疊加多個DRAM芯片，然后通過TSV連接布線的技術。HMC的最大特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大的提升。提升的原因有二，一是芯片間的布線距離能夠從半導體封裝平攤在主板上的傳統方法的“cm”單位大幅縮小到數十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成1000～數萬個TSV，實現芯片間的多點連接。
